
| 载气 | 分子量 | 化学活性 | 对薄膜致密性 | 对成分影响 | 典型用途与特点 |
|---|---|---|---|---|---|
| Ar | ~40 | 惰性 | 高 | 基本不改变 | 金属、半导体单质膜,高纯度、致密 |
| N₂ | ~28 | 常温惰性,高能下活性 | 中等 | 可能引入氮 | 氮化物膜、等离子体辅助、表面改性 |
| He | ~4 | 惰性 | 低(疏松) | 基本不改变 | 特殊研究:超快淬火、低动量沉积 |