
| 故障现象 | 核心原因分析 | 排查与解决技巧 |
|---|---|---|
| 1. 本底真空度抽不到指定值 | 系统存在泄漏点或放气量大。 | 1. 听声辨位:仔细倾听真空泵的声音是否异常(如尖锐啸叫可能是漏气声)。 2. 分段排查:依次关闭各气路上的阀门,判断是主真空管路、分子泵还是某一支路漏气。 3. 检漏:使用氦质谱检漏仪,用氦气喷枪重点检查法兰、观察窗、针阀、规管接口等薄弱环节。 4. 烘烤:如果是新安装的腔室或长期未用,可能存在水汽吸附,需执行烘烤程序。 |
| 2. 溅射时真空度持续上升 | 反应溅射中靶材中毒或腔壁/基片放气。 | 1. 观察辉光:中毒时,靶面辉光颜色会改变(如Si靶溅射SiO₂时,辉光由紫变白),且电压异常升高。 2. 检查气路:确认反应气体(O₂, N₂)的流量是否过大或控制失灵。 3. 清洁腔壁:腔壁沉积物过多会吸附大量反应气体,需清洁腔室。 4. 优化工艺:适当提高溅射功率或降低反应气体分压,有时可缓解中毒。 |
| 3. 薄膜厚度不均匀 | 等离子体分布不均或基片台运动异常。 | 1. 检查靶材:靶材表面不平整或有深坑会导致溅射不均匀。 2. 检查磁场:磁棒错位或消磁会导致跑道型辉光变形、偏移。 3. 检查基片台:基片台旋转是否平稳?公转/自转速度是否设置合理?夹具是否遮挡了部分区域? 4. 调整布局:对于大面积基片,可采用行星式夹具或增加挡板来改善边缘效应。 |
| 4. 靶材表面出现打火/电弧 | 靶面有绝缘沉积物或杂质。 | 1. 立即降压:发生电弧时,控制系统应自动降低功率或短暂切断功率。若未自动处理,应立即手动停止。 2. 分析原因:高功率下,绝缘的沉积物(如氧化物)被溅射出的离子充电,当电压积累到一定程度便会击穿放电。 3. 预防措施:采用中频或脉冲电源代替直流电源,可以有效中和靶面电荷,极大抑制电弧。 4. 清洁靶面:轻微打火后,可短时间用低功率氩气溅射“清洗”靶面。严重打火会在靶面留下凹坑,需抛光或更换靶材。 |
| 5. 基片温度过高 | 冷却不足或等离子体轰击过强。 | 1. 检查冷却:确认基片台水冷系统是否正常工作,水路是否通畅。 2. 降低功率:过高的溅射功率会产生大量热量。 3. 使用偏压:如果不需要基片偏压进行清洗,应将其设为0。 4. 增加间距:增大靶基距可以减少等离子体对基片的直接轰击。 |